語音芯片的制造技術1之下一代光刻技術

發布日期：2015-03-19

光刻是語音芯片制造的關鍵技術。集成電路的更新換代有賴于光刻技術的發展，對每一代集成電路技術都要研發一代特定的光刻技術。探究下一代光刻技術是什么，是當前工作的重點之一。長期以來采用的光刻方法隨著特征尺寸減小到100nm以下將逐步退出歷史舞臺。
目前光學光刻方法已從接觸－接近式、反射投影式、步進投影式發展到步進掃描投影式，光源波長已從436nm和365nm(汞弧燈)縮短到248nm(KrF準分子激光源)。通過對光源、透鏡系統、精密對準、光刻膠以及相移掩模（PSM）技術等方面長期深入的研究工作，光學光刻方法取得了令人難以置信的進展，可以突破通常的物理限制在芯片上印制出特征尺寸比光源波長更小的圖形。去年投入生產的180nm技術采用了波長248nm的步進掃描投影光刻技術。對特征尺寸130nm的光刻技術將仍然用光學方法，目前正在開發兩種技術，一種是采用波長248nm加PSM技術，別一種是采用波長193nm（ArF準分子激光源）的光刻技術。
然而，一般認為，利用光學光刻方法印制微細圖形已接近極限。在50nm及其以下，光學光刻方法將被其他新技術所取代。目前正在開發的技術有電子投影光刻技術（EPL）、離子投影光刻技術（IPL）、X－射線光刻技術、電子束直寫光刻技術（EBDW）以及超紫外（EUV）光刻技術等。至于對特征尺寸在100nm～70nm范圍內則尚無定論，一般認為光學光刻方法仍將與上述新技術相競爭。

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