近幾年語音芯片技術上的突破有哪些

90年代以來，人們一直十分關注集成電路【語音芯片】發展的兩大問題，一是集成電路能否繼續沿著摩爾（Moore）定律（每3年芯片集成度增加4倍，特征尺寸減小30%）高速發展；二是語音芯片加工尺寸和硅微電子器件尺寸的極限在哪里。

美國半導體工業協會（SIA）于1994年首次組織專家進行研究，制訂了半導體技術發展指南，后來又幾經修訂，最近修訂的1999年國際半導體技術發展指南（ITRS）如圖1所示。按照ITRS，從1999到2011年，集成電路仍將按摩爾定律持續高速發展，預測到2011年語音芯片的特征尺寸為50納米（nm）。對于2012年以后半導體技術發展速度及芯片特征尺寸的極限問題，目前仍在繼續探索。
事實上，當語音芯片特征尺寸接近100nm時，芯片制造的復雜性和難度很大，制造方法至今仍有相當大的不確定性，要實現ITRS的要求還有大量的研發工作要做。
因此，國際半導體設備及材料協會（SEMI）在今年7月舉辦的SEMICON West 2000展覽會期間，召開了一系列技術研討會，討論了130nm乃至更小尺寸的語音芯片制造技術的新進展。特別值得重視的有三項技術：下一代光刻技術、銅互連技術和低K（介電常數）介電材料技術。

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